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J-GLOBAL ID：201702289880031690   整理番号：17A0214171

Terman法によるMoS_2MOS界面における界面トラップ密度のエネルギー分布の定量的評価【Powered by NICT】

Quantitative evaluation of energy distribution of interface trap density at MoS₂ MOS interfaces by the Terman method

著者 (4件)： Takenaka M. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ozawa Y. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Han J. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi S. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 5.8.1-5.8.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚い体MoS_2MOSキャパシタのC-V測定によるHfO_2,Al_2O_3,SiO_2と剥離したMoS_2MOS界面の界面特性を評価した。Terman法はMoS_2MOS界面の大部分はゲート誘電体のミッドギャップに関係なく,MoS2の硫黄空格子点に起因するから約0.35~0.4eVのエネルギー準位で約1×10~13cm~ 2eV~ 1のD_itピークを示すことを明らかにした。著者らはまた,硫黄空格子点であると思われるいくつかのMoS_2MOS界面は約1×10~12cm~ 2eV~ 1のほぼ一定D_itを持つことを明らかにした。MoS_2MOSFETとTCADシミュレーションにおけるサブしきい値スイングの解析はD_itの同じエネルギー分布を支持した。ゲート誘電体に強く依存しない天然MoS2MOS界面におけるD_itのエネルギー分布を把握することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  シミュレーション ,  *エネルギー分布 ,  硫黄 ,  *界面 ,  ゲート絶縁膜 ,  サブ閾値 ,  ミッドギャップ ,  *界面トラップ
準シソーラス用語： TCAD ,  界面特性 ,  *定量的評価 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  トラップ密度 ,  エネルギー分布 ,  定量的評価