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J-GLOBAL ID：201702289902289932   整理番号：17A1830785

大偏波をもつ5層Aurivillus膜の保持特性【Powered by NICT】

Retention Characteristics of Five-Layered Aurivillus Films With Large Polarization

著者 (9件)： Song Dongpo (Department of Physics, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Yang Jie (School of materials science and engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Yang Jie (Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, P.R. China) ,  Wang Yuxing (School of materials science and engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Chen Liangyu (Department of Physics, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Chu Yanqiu (Department of Physics, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Yang Jie (School of materials science and engineering, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212003, P.R. China) ,  Yang Jie (Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, P.R. China) ,  Zhu Xuebin (Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201700278  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 五層Aurivillius膜Bi_6Fe_2Ti_3O_18における2P_r(零電場で分極2倍)の値は50μC/cm~ 2より大きく,これはバルクのそれ(4 μC cm~ 2)よりも1桁高い大きさである。さらに,この膜の明確なヒステリシスループは100kHzの測定周波数,そのようなドメインの超高速スイッチング速度を示しで持続することができる。保磁力の周波数依存性はべき乗則形式,Ec(f)=sfd/αに従い,その分域スイッチング運動論を,分域壁の運動によって影響されることを示した。Bi_6Fe_2Ti_3O_18薄膜の分極は2×10~4sまでの待ち時間で本質的に一定のままであり,印加電場には依存しない。スイッチング分極損失は1MHzの周波数で9×10~10read/writeスイッチングサイクル後に32%であった。スイッチング分極のこの変化は,膜中の酸素空孔の凝集の観点から考察した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  電場 ,  周波数 ,  *スイッチング ,  分域 ,  分極 ,  周波数依存性 ,  待ち時間 ,  保磁力
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  印加電圧 ,  べき乗則 ,  スイッチング速度 ,  超高速 ,  ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Aurivillus化合物 ,  ferroelectrics ,  oxides ,  薄膜

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (2件)： 偏波 ,  保持特性