文献

J-GLOBAL ID：201702289915082443   整理番号：17A0164029

高電圧P-I-Nダイオードの故障メカニズムを解析した。【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive Failure Mechanisms in High Voltage P-i-N Diode During Turn-off Transient

著者 (3件)： Luo Haoze (School of Electrical Engineering Zhejiang University) ,  Li Wuhua (School of Electrical Engineering Zhejiang University) ,  He Xiangning (School of Electrical Engineering Zhejiang University)
資料名： Diangong Jishu Xuebao  (Diangong Jishu Xuebao)
巻： 31  号： 20  ページ： 161-169  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2502A  ISSN： 1000-6753  CODEN： DIJXE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧と高出力のマルチチップP-I-Nダイオードのための高電圧インダクタの負荷における過渡故障現象について,回路配置とデバイス機構の面から,ダイオードチップの故障に及ぼす各因子の影響について議論した。まず,ダイオードモジュールの内部故障チップの位置と故障波形を考察することにより,全体のパワーエレクトロニクス装置の信頼性は,故障リスクの最も高い局所チップによって決定されるパワーモジュールのロバスト性によって決定される。第二に,チップの電流密度の不均一性によって引き起こされる接合部電流密度の正のフィードバック機構は,チップの電流密度によって誘発される電流密度の正のフィードバック機構によって引き起こされる。最後に,故障特性と試験条件に従って,統合故障原因によるマルチチップモジュールの動的故障モードを提案した。結論として,本論文で議論した高出力マルチチップモジュールの故障現象は,多重故障誘因の総合作用によって引き起こされるが,単一因子による超過の結果ではない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 不均一性 ,  接合部 ,  *故障 ,  故障モード ,  ロバスト性 ,  パワーエレクトロニクス ,  *ダイオード ,  電流密度
準シソーラス用語： MCM【実装】 ,  故障原因 ,  パワーモジュール ,  内部故障 ,  過渡故障 ,  高出力 ,  *故障メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： High power modules ,  non-uniform current distribution ,  transient hot runaway ,  avalanche ,  comprehensive failure mechanism

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧 ,  ダイオード ,  故障メカニズム ,  解析