文献

J-GLOBAL ID：201702289986580647   整理番号：17A0449285

高周波マグネトロンによる作製したLi-N共ドープInZnO TFTの作製と電気的特性【Powered by NICT】

Fabrication and electrical characteristics of Li-N co-doped InZnO TFTs prepared by radio frequency magnetron

著者 (10件)： Ma Yaobin (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Tian Longjie (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Wang Qi (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Li Ran (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Dai Shiqian (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Wang Tao (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Wang Hailong (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Zhou Dongzhan (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Zhang Xiqing (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China) ,  Wang Yongsheng (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing, 100044, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 702  ページ： 659-663  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 調製及びボトムゲートLi N共添InZnOの電気特性(IZO)薄膜トランジスタ(TFT)を本論文で研究した。Li N共添IZO薄膜は室温で活性チャンネル層として高周波マグネトロンスパッタリング(RFMS)によってSiO_2/Si基板上に堆積した。膜の透過率は,アニーリング後,可視領域において85%以上であった。膜のXRD分析は,膜の結晶性を調べた。SIMSも行っIZOにおける種の分布を調べることであった:(Li,N)膜。得られたTFTは,8.9Vのしきい値電圧V_TH,39.2cm~/vsの飽和移動度μ_SAT,及びオン/オフ電流比3.9×10~7の増強モードで動作する。著者らの結果は,Li-N共ドープしたIZO膜のドーピング機構を示し,高速IZOベースのTFTを達成した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マグネトロン ,  焼なまし ,  *ドーピング ,  薄膜トランジスタ ,  X線回折 ,  *HF【周波数】 ,  移動度 ,  透過率 ,  結晶度
準シソーラス用語： オフ電流 ,  閾値電圧 ,  可視領域 ,  シリコンウエハ ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ボトムゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InZnO(LiN) ,  薄膜トランジスタ ,  飽和移動度 ,  高周波マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高周波 ,  マグネトロン ,  作製 ,  Li ,  ドープ ,  TFT ,  電気的特性