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J-GLOBAL ID：201702290020106528   整理番号：17A1918318

高速修正単一走行キャリアフォトダイオードの低バイアス【Powered by NICT】

Low-bias high-speed modified uni-traveling-carrier photodiode

著者 (7件)： Wu Jie (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Huang Yongqing (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Fei Jiarui (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Liu Tao (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Duan Xiaofeng (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Liu Kai (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Ren Xiaomin (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICOCN  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高速修正単一走行キャリアフォトダイオード(MUTC PD)を設計し,低逆バイアスをfabricatedfor。1V逆バイアスで24μmメサ直径MUTC PDの3dB帯域幅と応答性は波長of1550nmで22.5GHzと0.22A/Wであった。デバイスの暗電流は3.3Vで4nA以下の逆バイアスである。作製した素子は,低逆バイアス確認で高性能を達成することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バイアス ,  *高速度 ,  暗電流 ,  応答特性 ,  帯域幅 ,  波長
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  *UTC-PD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (1件)： 単一走行キャリアフォトダイオード