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J-GLOBAL ID：201702290208702617   整理番号：17A1386011

超薄V(001)層中の水素の拡散【Powered by NICT】

Diffusion of hydrogen in ultra-thin V(001) layers

著者 (6件)： Huang Wen (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden) ,  Palonen Heikki (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden) ,  Droulias Sotirios A. (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden) ,  Hartmann Ola (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden) ,  Wolff Max (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden) ,  Hjorvarsson Bjorgvin (Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Box 516, SE-751 20, Uppsala, Sweden)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 723  ページ： 484-487  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素の拡散に及ぼす一次元閉じ込めの影響の研究に,低濃度限界(α相)について報告した。閉込めは単結晶Fe/V(001)超格子を利用して得られ,水素はV層に存在する。V(001)層における[110]方向に沿って拡散を決定することができた。活性化エネルギーと試みジャンプ速度はArrhenius解析から抽出した。効果は,V(001)の厚さ範囲7 28単分子層(≒ 1.1 4.2 nm)中の水素拡散に及ぼす閉込めから観察されなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： α相 ,  活性化エネルギー ,  単分子層 ,  *水素 ,  単結晶 ,  一次元 ,  超格子
準シソーラス用語： 水素拡散 ,  低濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 閉込め ,  光透過 ,  拡散 ,  格子間原子

分類 (1件)： その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 層 ,  水素 ,  拡散