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J-GLOBAL ID：201702290325731230   整理番号：17A1244771

p型GaNの成長とp-nダイオードの特性に及ぼす転位の影響【Powered by NICT】

Effect of dislocations on the growth of p-type GaN and on the characteristics of p-n diodes

著者 (11件)： Usami Shigeyoshi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho C3-1, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Miyagoshi Ryosuke (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho C3-1, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Tanaka Atsushi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nagamatsu Kentaro (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Kushimoto Maki (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho C3-1, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Deki Manato (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Nitta Shugo (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Honda Yoshio (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Furo-cho, 464-8603 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Akasaki Research Center, Nagoya University, Furo-cho, 464-0814 Nagoya, Japan) ,  Amano Hiroshi (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Furo-cho B2-4, 464-0814 Nagoya, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーにより成長させたp型GaNに及ぼす結晶欠陥の影響を調べた。p型GaN膜の集合は,サファイア基板上に,種々のEt Cp_2Mg流量を用いて同時に自立GaN(F GaN)基板上に成長させた。サファイアとF GaN基板上に成長したp型GaNの貫通転位密度の二桁の大きさの差であるが,正孔濃度に有意差はなかった。しかし,サファイア上に成長させたp型GaNの表面形態と問題である。表面の劣化はナノパイプ密度の差が原因である。ナノパイプの高い密度を持つサファイア上に形成されたp-n接合ダイオードの電気的特性を,順方向と逆バイアス条件下で放出顕微鏡を用いて観察した。著者らの結果は,ナノパイプは電気的に不活性であることを,他のタイプの貫通転位の電流-電圧特性に大きな影響を持つことを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  サファイア ,  電流 ,  *窒化ガリウム ,  顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  接合ダイオード ,  流量 ,  貫通転位 ,  MOCVD
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  ナノパイプ ,  表面形態 ,  正孔濃度 ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 放出顕微鏡観察 ,  nanopipe ,  p-nダイオード ,  p-GaN

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  成長 ,  ダイオード ,  転位