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J-GLOBAL ID：201702290327836098   整理番号：17A1415037

RF用途向け異種ゲート誘電体-ゲート金属エンジニアリング-ゲートオールアラウンド-トンネルFETの性能評価

Performance investigation of heterogeneous gate dielectric-gate metal engineered-gate all around-tunnel FET for RF applications

著者 (3件)： MADAN Jaya (Delhi Technological Univ., Delhi, IND) ,  GUPTA R. S. (Maharaja Agrasen Inst. of Technol., Delhi, IND) ,  CHAUJAR Rishu (Delhi Technological Univ., Delhi, IND)
資料名： Microsystem Technologies  (Microsystem Technologies)
巻： 23  号： 9  ページ： 4081-4090  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W2056A  ISSN： 0946-7076  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,TCADデバイスシミュレータを使用して,異種ゲート誘電体(HD)-ゲート金属エンジニアリング(GME)-ゲートオールアラウンド(GAA)-トンネル電界効果トランジスタ(TFET)のRF性能と,寄生容量,電力利得,遮断周波数,最大発振周波数,固有遅延,アドミタンスパラメータなどの小信号パラメータを解析した。GMEの実装により,TFETの優れた利点を得た。寄生容量が減少し,遮断周波数と最大発振周波数が増加し,より良いRF性能を得た。更にHD-GAA-TFETへのGME方式の融合により,オン電流が増加し,寄生容量が低減し,電力利得が非常に向上し,高周波およびマイクロ波用途に適した候補となった。また,GME方式での固有遅延と寄生容量の低減により,アナログとデジタルのスイッチング応用が可能になった。さらに,GME方式により小信号Yパラメータが改善し,RF通信に有益であった。したがって,HD-GME-GAA-TFETは,高速スイッチングエレクトロニクスでの応用がある。

シソーラス用語： 材料 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *仕事関数 ,  *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *性能評価 ,  RF系
準シソーラス用語： *ゲートオールアラウンド構造 ,  ゲート誘電体 ,  *トンネルFET ,  異種材料 ,  金属ゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  用途 ,  ゲート誘電体 ,  ゲート ,  エンジニアリング ,  ゲートオールアラウンド ,  トンネルFET ,  性能評価