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J-GLOBAL ID：201702290350892233   整理番号：17A1929165

フレキシブル低温ポリシリコン薄膜トランジスタの曲げ安定性【JST・京大機械翻訳】

Bending Stability of Flexible Low Temperature Poly-silicon Thin-film Transistors

著者 (6件)： Yue Zhifu (上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072;上海大学 新型顕示技術及応用集成教育部重点実験室, 上海 200072) ,  Wu Yong (上海天馬微電子有限公司,上海,201201) ,  Li Xifeng (上海大学 新型顕示技術及応用集成教育部重点実験室,上海,200072) ,  Yang Xiang (上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072;上海大学 新型顕示技術及応用集成教育部重点実験室, 上海 200072) ,  Jiang Shu (上海大学 新型顕示技術及応用集成教育部重点実験室,上海,200072) ,  Xu Yunlong (上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072;上海大学 新型顕示技術及応用集成教育部重点実験室, 上海 200072)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 9  ページ： 1205-1209  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ポリイミドを基板とするp型低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの異なる曲げ半径下でのバイアス安定性を研究した。曲率半径が15mmから3mmに変化したとき,閾値電圧と平坦性の間の一貫性(Vth=-1.34V)と移動度μsatは45.65cm/2/(V・s)から45.17cm/2/(Vs)まで減少した。スイッチング比は増加した。圧縮曲げ状態の下では,転移特性曲線と平坦状態は非常に良く一致した。最小曲げ半径が3mmのとき,正と負のバイアス安定性試験を行い,その結果,デバイスは依然として良好な安定性を有することが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポリイミド ,  バイアス ,  スイッチング ,  特性曲線 ,  *薄膜トランジスタ ,  移動度 ,  平坦性
準シソーラス用語： 安定性試験 ,  最小曲げ半径 ,  剪断波速度 ,  閾値電圧 ,  曲率半径 ,  曲げ半径 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： flexible ,  thin-film transistors ,  LTPS-TFT ,  bending ,  stability

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温ポリシリコン ,  薄膜トランジスタ ,  曲げ ,  安定性