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J-GLOBAL ID：201702290351005743   整理番号：17A0470323

表面プラズモン共鳴アプローチのための(111)配向平滑金薄膜の共焦点スパッタリング【Powered by NICT】

Confocal sputtering of (111) orientated smooth gold films for surface plasmon resonance approaches

著者 (12件)： Schmidl G. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Dellith J. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Teller N. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Bochmann A. (Friedrich Schiller University of Jena, Institute of Solid State Physics, Helmholtzweg 5, 07743 Jena, Germany) ,  Teichert S. (Friedrich Schiller University of Jena, Institute of Solid State Physics, Helmholtzweg 5, 07743 Jena, Germany) ,  Stranik O. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Dathe A. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Tympel V. (Ernst Abbe Hochschule, University of Applied Sciences, Carl-Zeiss-Promenade 2, 07745 Jena, Germany) ,  Schmidl F. (Ernst Abbe Hochschule, University of Applied Sciences, Carl-Zeiss-Promenade 2, 07745 Jena, Germany) ,  Kessler E. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Wieduwilt T. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany) ,  Fritzsche W. (Leibniz Institute of Photonic Technology (IPHT), Albert-Einstein-Strasse 9, 07745 Jena, Germany)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 138  ページ： 55-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ200nmのAu層の微細構造成長に及ぼすスパッタリングパラメータの影響,さらに,共焦点スパッタリング配置を用いてそれらの結晶,電気的および光学的性質について報告した。共焦点スパッタリング配置を圧力,パワー,及びターゲット-基板間距離に依存することを高度に均一な層厚の生産を可能にする。低Ar圧力で堆積した層は,非常に滑らかで密充填膜だけでなく,高いAr圧力で堆積した膜に反して好ましい{111}集合組織を示した。さらに,粒径の減少と組み合わせた電気抵抗率の増加は,これらの層が観察された。600~°Cの温度まで焼なましプロセスは抵抗率を減少させ,粒径を増加させ,{111}集合組織の割合を改善し,すべての初期状態の表面形態を著しく変化させた。4.2Kでの研究は,抵抗率の減少は,結晶粒界の数を考慮に入れた構造変化によって生じることを示した。偏光解析測定により調べ誘電関数はその堆積過程パラメータに依存し,特にAr圧力である。Otto配置を用いて作製した層に基づく表面プラズモン共鳴計算は,低Ar圧力で堆積した層に特異的な装置を用いて最良の性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルゴン ,  プロセスパラメータ ,  焼なまし ,  集合組織 ,  *スパッタリング ,  偏光解析法 ,  粒径 ,  層厚 ,  誘電関数 ,  電気抵抗率 ,  *金 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *共焦点 ,  *表面プラズモン共鳴法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 金膜 ,  結晶集合組織 ,  Resistivity ,  アニーリング ,  共焦点スパッタリング ,  誘電関数

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 表面プラズモン共鳴 ,  配向 ,  金薄膜 ,  共焦点 ,  スパッタリング