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J-GLOBAL ID:201702290355945140   整理番号:17A1381329

Si IIIにおける遷移に対するエネルギーレベル,放射率および電子衝撃励起速度【Powered by NICT】

Energy levels, radiative rates and electron impact excitation rates for transitions in Si III
著者 (1件):
資料名:
巻: 117-118  ページ: 320-424  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0728A  ISSN: 0092-640X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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四種類遷移の(E1,E2遷移,M1遷移及びM2)のエネルギー準位と放射速度(A値)は,天体物理学的に重要なMg様イオンSi III,発光線は,様々なプラズマで観測されているについて報告した。計算のためには,よく知られ,広く使用されている把握コードを採用した,結果は,3l,3l′及び3Lの4L配置の141レベル間の遷移を一覧表にした。実験エネルギーは最低58準位のみに利用できるが,理論的結果と主要な違いはなかった。同様に,A値と寿命は他の利用可能な結果と満足できる一致を示し,特に強いE1遷移。衝突強度も計算し,darcコードを用いて,広いエネルギー範囲で共鳴遷移に対する記載されている,30までRyd。類似結果を比較のために文献では入手できない。しかし,より重要なパラメータである有効衝突強度(Υ),最近のR行列の結果は広範囲遷移の,広い範囲の温度にわたって利用可能な比較を行った。Υを決定するために,共鳴は狭いエネルギーメッシュにおける分解されてきたが,これらは他のイオンと同様に重要であることが観測されなかった。残念なことに,Υ値の大きな不一致が約半分遷移で知られている。差は温度の上昇と共に増加し,上部レベルJが増加すると悪化させる。多くの場合の以前の結果は過大評価されて,(ほぼ)二桁の大きさでであり,この結論はBe様イオンのための以前に観察されたものと一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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原子の電子構造  ,  X線スペクトル 

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