文献

J-GLOBAL ID：201702290367932391   整理番号：17A0754703

単相ナノ構造Cu_2ZnSnS_4の光学バンドギャップに及ぼす真性歪の影響【Powered by NICT】

Effect of intrinsic strain on the optical band gap of single phase nanostructured Cu₂ZnSnS₄

著者 (2件)： Ansari Mohd Zubair (Physics Department, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Khare Neeraj (Physics Department, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 220-226  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単相Cu_2ZnSnS_4(CZTS)ナノ構造の光学バンドギャップに及ぼす固有歪の影響を三つの異なる方法:超音波支援蒸着(UACVD),一段階過程でマイクロ波とソルボサーマル法により合成された研究した。X線回折とRaman研究は,単相CZTSナノ構造の形成を明らかにした。UACVDにより堆積したナノ構造膜は固有歪5.2×10~ 4による結晶サイズ~20nmで光学バンドギャップ1.4eVを示したソルボサーマル法により成長させたナノ構造は高い固有歪(52.9× 10~ 4)と小さい結晶サイズ(7nm)であった。結晶サイズが7nmから20nmまでの増加により,CZTSナノ粒子の光学バンドギャップは1.72eVから1.4eVに減少した。CZTSナノ構造の光学バンドギャップの変化はナノ粒子のサイズの変化に十分考慮できず,それはCZTSナノ構造中に存在する固有歪に起因していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶 ,  青方偏移 ,  *単相 ,  ナノ粒子 ,  超音波 ,  X線回折 ,  *ナノ構造 ,  半導体 ,  蒸着 ,  *光学ギャップ ,  光学的性質 ,  マイクロ波 ,  ソルボサーマル合成 ,  固有歪 ,  硫化ケステライト
準シソーラス用語： CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 半導体 ,  固有歪 ,  光学的性質 ,  青方偏移 ,  XRD ,  サイズ効果

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単相 ,  ナノ構造 ,  光学バンドギャップ ,  歪