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J-GLOBAL ID：201702290379116572   整理番号：17A0524827

面内グラフェン/シリセンヘテロ構造の電子構造と化学活性とに及ぼす歪効果および水効果

Strain and water effects on the electronic structure and chemical activity of in-plane graphene/silicene heterostructure

著者 (7件)： KISTANOV Andrey A (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  KISTANOV Andrey A (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  CAI Yongqing (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  ZHANG Yong-Wei (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  DMITRIEV Sergey V (Inst. for Metals Superplasticity Problems, Russian Acad. of Sci., Ufa, RUS) ,  DMITRIEV Sergey V (Peter the Great St. Petersburg Polytechnical Univ., St. Petersburg, RUS) ,  ZHOU Kun (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 29  号： 9  ページ： 095302,1-10  発行年： 2017年03月08日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *グラフェン ,  *ケイ素 ,  電子構造 ,  効果 ,  水分子 ,  基板 ,  窒化ホウ素 ,  *バンドギャップ ,  構造 ,  状態密度 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *シリセン ,  歪効果 ,  アームチェア構造 ,  局所状態密度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  シリセン ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  化学 ,  活性 ,  歪効果 ,  水