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J-GLOBAL ID：201702290657691530   整理番号：17A0852391

SiGeにおけるバンド間トンネリング:合金散乱の影響【Powered by NICT】

Band-to-Band Tunneling in SiGe: Influence of Alloy Scattering

著者 (6件)： Jin Seonghoon (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Park Hong-Hyun (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Luisier Mathieu (Integrated Systems Laboratory, ETH Zurich, Zuerich, Switzerland) ,  Choi Woosung (Device Laboratory, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Kim Jongchol (Semiconductor Research and Development center, Samsung Electronics Company, Ltd., Hwaseong, South Korea) ,  Lee Keun-Ho (Semiconductor Research and Development center, Samsung Electronics Company, Ltd., Hwaseong, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 422-425  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeランダム合金のための改良されたバンド-バンドトンネリング(BTBT)モデルを提示した。モデルは直接バンドギャップを通るコヒーレント転移および間接伝導帯へのフォノンと合金散乱誘起遷移谷を考慮に入れた。6バンドk・pと多谷有効質量モデルから得られた複雑な価電子と伝導バンド構造を組み合わせて,直接および間接BTBT遷移,フルバンド計算と良く一致するための非放物型仮想分散を計算した。本モデルは経験的強束縛法に基づいた原子論的量子シミュレーションに対して検証した。シミュレーション結果は,合金散乱は,SiGe合金の間接BTBTで重要な役割を果たし,無視すべきでないことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *散乱 ,  フォノン ,  シミュレーション ,  有効質量 ,  *トンネル効果 ,  コヒーレンス ,  価電子 ,  *合金 ,  伝導バンド
準シソーラス用語： SiGe合金 ,  量子シミュレーション ,  直接バンドギャップ ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiGe ,  バンド間トンネリング ,  合金 ,  散乱