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J-GLOBAL ID：201702290768432305   整理番号：17A0855222

HVPE成長GaN膜における特異的Vピットの性質と形成過程の研究【Powered by NICT】

Investigation of the properties and formation process of a peculiar V-pit in HVPE-grown GaN film

著者 (14件)： Zhang Min (Xi’an Jiaotong University, Suzhou Research Institute, Suzhou 215123, PR China) ,  Zhang Min (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Cai Demin (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Cai Demin (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, PR China) ,  Zhang Yumin (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Zhang Yumin (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, PR China) ,  Su Xujun (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Zhou Taofei (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Cui Miao (Xi’an Jiaotong University, Suzhou Research Institute, Suzhou 215123, PR China) ,  Li Chao (Xi’an Jiaotong University, Suzhou Research Institute, Suzhou 215123, PR China) ,  Wang Jianfeng (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Wang Jianfeng (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, PR China) ,  Xu Ke (Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, PR China) ,  Xu Ke (Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd., Suzhou 215123, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 198  ページ： 12-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆ピラミッド形状を有する六方晶VピットはホットH_3PO_4によるエッチング後のGaN膜の表面上に現れた。Vピット形態とは異なっていることが規則的構造を陰極線ルミネセンス画像で観察された。キャリア濃度と応力分布が,V型ピット内部不均一である。さらに,Vピットのファセットまたは底面積では観測されない支配的な転位または欠陥。島合体過程は,このようなVピットの形成に寄与し,異なる成長速度のための凹状態での{101m}から{112m}に合体した島のファセットを持つと考えられている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 凹形 ,  エッチング ,  応力分布 ,  *窒化ガリウム ,  陰極線ルミネセンス ,  ファセット ,  角錐 ,  画像 ,  成長速度 ,  六方晶系 ,  キャリア密度

著者キーワード (4件)： 腐食 ,  Microstructure ,  結晶成長 ,  GaN

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (7件)： HVPE ,  成長 ,  GaN ,  ピット ,  性質 ,  形成過程 ,  研究