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J-GLOBAL ID：201702290773177635   整理番号：17A0885692

フレキシブル基板上の低温,溶液加工,三次元相補型有機FET【Powered by NICT】

Low-Temperature, Solution-Processed, 3-D Complementary Organic FETs on Flexible Substrate

著者 (4件)： Kyung Sujeong (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kwon Jimin (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Yun-Hi (Department of Chemistry and Research Institute of Natural Science, Gyeongsang National University, Jinju, South Korea) ,  Jung Sungjune (Department of Creative IT Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 1955-1959  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜トランジスタの垂直積層が装置のフットプリントを低減する効果的な方法であり,パターン形成ツールの特徴の大きさと分解能を低下させずに複雑なフレキシブルな電子応用におけるトランジスタ密度を増加させた。本論文では,二間で共有されたゲートを有するトップゲートボトムコンタクトn型トランジスタのボトムゲートトップコンタクトp型トランジスタを積層することによりプラスチック基板上に作成した三次元相補的有機FETを報告した。サイトップと架橋ポリ(4 ビニルフェノール)二分子層とポリ(メタクリル酸メチル)ゲート誘電体を有するに沿って垂直に積層有機トランジスタを作製するための高性能高分子半導体,n型素子のためのポリ[(E)- 2,7 ビ(2decyltetradecyl)4メチル9(5(2(5methylthiophen2イル)ビニル)チオフェン2イル)ベンゾ[lmn][3 8]フェナントロリン,3 6 8(2H, 7H)-テトラオン]とポリ[2, 5-ビス(7-デシルノナデシル)p型素子のためのピロロ[3,3,4-c]ピロール,4(2H, 5H)-ジオン-(E)-1,2ビス(5(チオフェン2イル)セレノフェン2イル)エテン]を使用した。三次元フレキシブル相補型有機インバータは¥thickapprox18V/Vの最大静的電圧利得とV_DD/2の60%までの高い雑音耐性を示した。三次元トランジスタを低温プロセスにもかかわらずヒステリシスI-V特性を示した。さらに,架橋剤濃度の影響とI-V特性におけるヒステリシスの程度に及ぼすPVP誘電体膜の加工温度を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分解能 ,  *フレキシブル基板 ,  ヒステリシス ,  ポリメタクリル酸メチル ,  薄膜トランジスタ ,  トランジスタ ,  *低温 ,  電流電圧特性 ,  ゲート絶縁膜 ,  雑音安定度 ,  *三次元 ,  半導体 ,  パターン形成
準シソーラス用語： 低温プロセス ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： フレキシブル基板 ,  低温 ,  溶液 ,  有機FET