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J-GLOBAL ID：201702290801040816   整理番号：17A1386321

遷移金属の最密充填表面上のベンゼンの吸着特性のab initio DFT研究【Powered by NICT】

Ab initio DFT studies of adsorption characteristics of benzene on close-packed surfaces of transition metals

著者 (4件)： Lakshmikanth K.G. (Department of Physics, National Institute of Technology, Calicut, India) ,  Ayishabi P.K. (Department of Physics, National Institute of Technology, Calicut, India) ,  Ayishabi P.K. (Department of Physics, K M M Government Women’s College, Kannur, Kerala, India) ,  Chatanathodi Raghu (Department of Physics, National Institute of Technology, Calicut, India)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 137  ページ： 10-19  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： fcc(111)表面,bcc(110)表面とhcp遷移金属の(0001)表面のような最密充填表面上のベンゼンの吸着,平面波DFT計算を用いて研究した。ブリッジ及びホロー間の中間位置を取り勝ちであるブリッジサイトはすべて(111)表面の最も安定な吸着サイト,ホローサイトが最も安定であることが判明した,Rh,Ruの場合にMo,Wを除いてである。この実験測定と比較してvan der Waals(vdW)相互作用が吸着エネルギーを正確に決定するにおいて重要であることを示した。吸着後の幾何学的構造と電子構造の変化を研究した。は部分的に満たされたdバンドをもつ遷移金属の場合,正味の電子移動が起こり,ベンゼン分子と充填またはほぼ充填されたdバンド(Pt, Pd)を持つ金属のための正味輸送は,基板に向かっていることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子構造 ,  相互作用 ,  *遷移金属 ,  電子移動 ,  平面波 ,  吸着エネルギー ,  密度汎関数法 ,  *吸着 ,  芳香族炭化水素
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  *吸着特性 ,  *最密充填 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 表面吸着 ,  表面電子構造 ,  DFT計算 ,  van der Waals相互作用 ,  電荷移動

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： ベンゼン

タイトルに関連する用語 (6件)： 遷移金属 ,  最密充填 ,  ベンゼン ,  吸着特性 ,  DFT ,  研究