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J-GLOBAL ID：201702290974120289   整理番号：17A1607127

原子層エピタキシー法によって作製されたGaAsN薄膜の作製条件の違いが結晶性に与える影響のラマン分光法による評価

Effects in Growth Conditions on Crystallinity of GaAsN Films Grown by Atomic Layer Epitaxy using Raman Spectroscopy

著者 (5件)： 橋本英明 (宮崎大) ,  和田季己 (宮崎大) ,  横山祐貴 (宮崎大) ,  前田幸治 (宮崎大) ,  鈴木秀俊 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 46  ページ： 113-116 (WEB ONLY)  発行年： 2017年07月31日 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・III-V族化合物半導体を用いた多接合型太陽電池には結晶性の制御が生産技術上の課題。
・セルフリミティング機構による単原子層単位での成長表面制御が可能な原子層エピタクシー(ALE)法を採用。
・半絶縁性GaAs(001)基板面上にGaAsN膜をALE成長。
・ラマン分光法により,成長GaAsN膜を性能評価。
・励起光源にはAr⁺レーザ(488.0nm)とHe-Cdレーザ(441.6nm)を使用。
・膜厚を変えて作製したGaAsNを測定。
・成長温度の増加に伴い結晶性が低下するけれども,膜厚の増大がこれを抑制し,良好な結晶が得られると判明。
・原料ガス供給時間の短縮も高品質成長膜を得るには有効。
・成長温度は480°Cが最適と判明。

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,  結晶成長 ,  薄膜成長 ,  核形成 ,  抑制 ,  *品質管理 ,  *Raman分光法 ,  *半導体プロセス ,  依存性 ,  膜厚 ,  *半導体薄膜 ,  レーザ分光法 ,  基板
準シソーラス用語： GaAs基板 ,  自己制御 ,  成長条件 ,  品質制御 ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層エピタキシー法 ,  作製 ,  薄膜 ,  作製条件 ,  結晶性 ,  ラマン分光法 ,  評価