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J-GLOBAL ID：201702291046456333   整理番号：17A1556287

マルチオクターブ線形効率GaN電力増幅器【Powered by NICT】

Multi-octave linear efficient GaN power amplifier

著者 (7件)： Moon Jeong-Sun (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Kang Jongchan (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Grabar Robert (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Fung Helen (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Chan Peter (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Tai Haw Y. (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265) ,  Brown Dave (HRL Laboratories, LLC, 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, CA 90265)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIT  ページ： 253-255  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN RF技術は,RFとミリ波帯における最新のパワー,効率,直線性,及び低雑音性能を実証し続けている。,筆者らはスケールされた120nm短ゲートGaNH EMTを用いたMMICアーキテクチャにおけるマルチオクターブ(100 MHz-8 GHz),線形不均一分布増幅器(NDPA)について報告した。線形NDPAsは不均一分布増幅器アプローチにおける六断面を構築した,各セルは主およびg_m3細胞から構成される。小信号利得はバンド上で>10dB,Vdd=17Vで~35dBmの飽和CW出力パワーであった。PAEは150nmゲート長GaN FETを用いた以前のNDPAと比較してバンド内で7%~10%向上した。二トーン試験に基づいて,線形NDPAは~50dBmの改善されたOIP3,線形化を行わないNDPA42dBmのOIP3を示した。QPSK LTE波形では,ACPRは平均出力23dBmで~ 10dBc改善されディジタルプリディストーションを示さなかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  計算機アーキテクチャ ,  小信号利得 ,  EHF波 ,  QPSK ,  分布増幅器 ,  *線形性 ,  雑音特性 ,  *増幅器 ,  *窒化ガリウム ,  MMIC
準シソーラス用語： ディジタルプリディストーション ,  ACPR ,  線形化 ,  ゲート長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチ ,  オクターブ ,  線形 ,  GaN ,  電力増幅器