文献

J-GLOBAL ID：201702291053172519   整理番号：17A1834871

分数次数非線形エネルギー演算子(FNEO)の対数領域実現【Powered by NICT】

Log-domain realization of Fractional-Order Nonlinear Energy Operator (FNEO)

著者 (4件)： Dar M. Rafiq (Department of Electronics and Instrumentation Technology, University of Kashmir, Hazratbal Srinagar-190006, India) ,  Kant Nasir A. (Department of Electronics and Instrumentation Technology, University of Kashmir, Hazratbal Srinagar-190006, India) ,  Khanday Farooq A. (Department of Electronics and Instrumentation Technology, University of Kashmir, Hazratbal Srinagar-190006, India) ,  Psychalinos C. (Department of Physics, Electronics Laboratory, University of Patras, GR-26504, Rio Patras, Greece)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICECCT  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対数領域技法を用いた分数次数非線形エネルギー演算子の実装を本論文で実証した。雑音からスパイク抽出の点で従来の整数次数非線形エネルギー演算子と比較して,分数次数非線形エネルギー演算子の優れた性能を検証した。著者ら最良の知識では,分数次数非線形エネルギー演算子は,公開された文献で提示された最初である。分数次数非線形エネルギー演算子は,0.5Vの供給電圧で設計し,回路の消費電力は109.3nWであった。システムの性能は,台湾半導体製造会社(TSMC)130nm相補型MOS(CMOS)プロセスによって提供されたMOSトランジスタのパラメータを用いて評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *対数 ,  MOSFET ,  雑音 ,  消費電力 ,  台湾 ,  CMOS
準シソーラス用語： 半導体製造 ,  供給電圧 ,  *次数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分数次 ,  非線形 ,  エネルギー ,  演算子 ,  対数