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J-GLOBAL ID：201702291111238507   整理番号：17A0499090

3d遷移金属吸着による,単分子層WTe₂中のスピン分裂と電荷補償の再出現

Spin splitting and reemergence of charge compensation in monolayer WTe₂ by 3d transition-metal adsorption

著者 (3件)： Song Yan (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparation Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300354, China. [e-mail]) ,  Wang Xiaocha ,  Mi Wenbo
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 11  ページ： 7721-7727  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半金属性WTe₂は,非飽和磁気抵抗,圧力誘起超伝導およびII型Weylフェルミオン保持により強い興味を喚起している。予想外で魅力的な量子特性は,繊細なFermi面および特別な電子-正孔ポケット構造に密接に関連すると想定される。しかしながら,単一層中では,電子-正孔ポケット構造は,層間相互作用の欠如により消失する。本論文で,密度汎関数理論により,3d遷移金属吸着が,単分子層WTe₂の電子特性を改変する有効な方法であると実証した。スピン分裂およびスピン縮重バンドを,各々Ti-,V-,Cr-,Mn-,Fe-およびCo-と,Sc-,Ni-,Cu-およびZn-吸着系について実現した。特に,電子-正孔ポケットの再出現が,Ni-吸着系中で出現した。計算結果は,スピン-軌道結合およびCoulomb相互作用の取込みに対してロバスト性であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *遷移金属 ,  *単分子層 ,  *テルル化物 ,  *タングステン化合物 ,  *スペクトル線分裂 ,  *不純物補償 ,  半金属 ,  磁気抵抗 ,  超伝導 ,  フェルミオン ,  Fermi面 ,  *電子正孔対 ,  相互作用 ,  *密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  スピン-軌道相互作用 ,  Coulomb相互作用 ,  ロバスト性 ,  プログラムパッケージ ,  汎関数 ,  配置 ,  Brillouin帯 ,  原子 ,  *バンド構造 ,  密度分布 ,  *吸着
準シソーラス用語： *スピン分裂 ,  圧力誘起超伝導 ,  Weyl半金属 ,  層間相互作用 ,  スピン・軌道結合 ,  VASP【計算機プログラム】 ,  Perdew-Burke-Ernzerhof汎関数 ,  原子配置 ,  アドアトム ,  電荷密度分布 ,  *原子吸着

分類 (4件)： 第6族,第7族元素の錯体  (CE01080F) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  原子核エネルギー準位  (BG02020D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  遷移金属 ,  吸着 ,  単分子層 ,  スピン分裂 ,  電荷補償