文献

J-GLOBAL ID：201702291203999226   整理番号：17A1639109

機械的荷重によるほう素の種々の同素体におけるラックとナノ細孔生成の生成【Powered by NICT】

The creation of racks and nanopores creation in various allotropes of boron due to the mechanical loads

著者 (1件)： Sadeghzadeh S. (Smart Micro/Nano Electro Mechanical Systems Lab (SMNEMS), Nanotechnology Department, School of New Technologies, Iran University of Science and Technology, Tehran, Iran)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 1145-1161  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,近年注目を集めている。本論文では,ホウ素の種々の同素体の破壊機構に関する詳細な議論を提供した。反応性分子動力学モデルを用いて新しい2D材料として,boropheneシートの破壊の可能なタイプを研究し,その中で二種の優占機構が観察された:亀裂の生成とナノ細孔の形成。得られた結果は,グラフェンとh BNナノシートのそれと比較したが,破断機構であったグラフェンとh BNシートから完全に異なっていた。シミュレーションはboropheneはグラフェンとBNシートよりも外部機械的負荷に対してより安定であることを示唆した。割れは,荷重方向に沿った大きな歪をもたらすが,局所細孔の生成は内部結合の破壊と外部エネルギーを流れる様々な結合細孔の数を増加させるために課せられたエネルギーを費やしている。アームチェアタイプに関しては,亀裂が支配的な機構であるが,ジグザグ型の共通機構はナノ細孔の生成である。これらの興味ある結果は,安定した状態を保つことを半導体の新しいクラスを設計するのに役立つ可能性がある場合は制御できない外部応力を維持する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラフェン ,  分子動力学 ,  二次元 ,  折れ線 ,  *細孔 ,  半導体 ,  亀裂 ,  *ホウ素 ,  反応性 ,  破断
準シソーラス用語： 六方晶窒化ホウ素 ,  破壊機構 ,  *ナノ細孔 ,  *同素体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Borophene ,  機械的性質 ,  ナノ細孔生成 ,  分子動力学 ,  ホウ素同素体

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 荷重 ,  ほう素 ,  同素体 ,  ラック ,  ナノ細孔