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J-GLOBAL ID：201702291314907614   整理番号：17A1359822

超低電力音声インタフェイスのための4.7μWバイアススイッチMEMSマイクロホン前置増幅器【Powered by NICT】

A 4.7μW switched-bias MEMS microphone preamplifier for ultra-low-power voice interfaces

著者 (5件)： Oh Sechang (University of Michigan, Ann Arbor, MI) ,  Jang Taekwang (University of Michigan, Ann Arbor, MI) ,  Choo Kyojin D. (University of Michigan, Ann Arbor, MI) ,  Blaauw David (University of Michigan, Ann Arbor, MI) ,  Sylvester Dennis (University of Michigan, Ann Arbor, MI)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Circuits  ページ： C314-C315  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,超低電力音声インタフェイスのためのバイアス切替MEMSマイクロホン前置増幅器を提案した。スイッチMOSFETを定期的に本質的に1/f雑音を低減するために強い反転層と蓄積の間のMOSFETを変化させる。加え,提案するカップリングキャパシタは高いバイアス電圧から利益を得るマイクロホン可能にし,一方,前置増幅器は低VDDを使用することができる。プリアンプは3.4μAで7.3μVrms入力参照雑音(A特性重み付き)を達成し,NEFを改善する4.5×であった。プリアンプとMEMSマイクロフォンを用いた音響試験は94dB SPLで61.3dBA SNRを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MEMS ,  音響 ,  *スイッチ ,  *マイクロホン ,  MOSFET ,  雑音 ,  *前置増幅器 ,  1/f雑音 ,  *バイアス ,  反転層
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *音声インタフェイス ,  *超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  音声インタフェイス ,  バイアス ,  MEMS ,  マイクロホン ,  前置増幅器