MOCVD Ge_1 xSn_xエピタキシャル成長におけるSnの取り込みのためのH_2供給の役割【Powered by NICT】

Suda Kohei; Sawamoto Naomi; Machida Hideaki; Ishikawa Masato; Sudoh Hiroshi; Ohshita Yoshio; Hirosawa Ichiro; Ogura Atsushi

文献

J-GLOBAL ID：201702291338659811 整理番号：17A1020067

MOCVD Ge_1 xSn_xエピタキシャル成長におけるSnの取り込みのためのH_2供給の役割【Powered by NICT】

Role of H₂ supply for Sn incorporations in MOCVD Ge_1-xSn_x epitaxial growth

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資料名：
巻： 468 ページ： 605-609 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本論文では,MOCVD(金属有機化学蒸着)を用いたGe基板上に成長させたエピタキシャルGe_1 xSn_x膜中のSn濃度を増加させるために大気中のH_2供給を用いる新しい方法を提案した。大気供給H_2はSn前駆体の分解を加速し,Ge_1 xSn_x膜のエピタキシャル成長中のSn原子の表面マイグレーションを抑制する。提案した方法は,結晶化αGe_1xSn_xまたは低下成長温度のいずれかによってSn濃度を増加させることを既存の方法からの新しくて基本的に異なっていた。提案した方法は,大気中のH_2供給を用いるSn濃度を増加させた。提案手法の有効性を示すために,著者らは,大気中のH_2を供給の各種比率を用いた実験を行い,エピタキシャルMOCVDを用いたGe基板上にGe_1 xSn_x膜を成長させた。実験(tertiarybutylgermaneとテトラエチルすず)で使用されているMO前駆体である新しいかつ安全である。我々の実験では,Sn濃度は成長中のH_2供給を増加することが観察され,Ge_1 xSn_x膜の高い成長速度を維持した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体薄膜

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