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J-GLOBAL ID：201702291362081774   整理番号：17A1406868

三リン化インジウム単分子層中での調整可能な磁性および異常な太陽光吸収

Tunable Magnetism and Extraordinary Sunlight Absorbance in Indium Triphosphide Monolayer

著者 (5件)： MIAO Naihua (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  XU Bin (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  BRISTOWE Nicholas C. (Univ. Kent, Canterbury, GBR) ,  ZHOU Jian (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  SUN Zhimei (Beihang Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 32  ページ： 11125-11131  発行年： 2017年08月16日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,二次元(2D)物質は,その興味ある構造と特性から,多大の関心を集めている。本稿では,新規2D物質として,三リン化インジウム(InP₃)単分子層に注目し,密度関数理論と分子動力学シミュレーションを用いて,その特性を予測した。2DのInP₃結晶は高い安定性を示した。そして,1.14eVのバンドギャップと,1919cm²V^-1s^-1という高い電子移動度を示したが,これらは,伸長印加により調整可能であった。InP₃単分子層は,空孔ドーピングあるいは欠陥設計のもとで,調整可能な磁性と半金属性を示した。また,InP₃は可視光スペクトル全域で,異常な光吸収を示した。

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *単分子層 ,  密度汎関数法 ,  計算機シミュレーション ,  安定性 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  伸び率 ,  ドーピング ,  欠陥 ,  *磁性 ,  金属性 ,  吸収係数 ,  *光吸収 ,  結晶構造 ,  磁気モーメント ,  剥離
準シソーラス用語： 太陽光吸収率 ,  電子移動度 ,  半金属性 ,  分子動力学シミュレーション

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： リン化インジウム ,  単分子層 ,  磁性 ,  太陽光