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J-GLOBAL ID：201702291497069293   整理番号：17A0854973

Mg_3X_2(X=N, P, As, Sb, Bi)化合物の構造,電子,光学および熱電特性【Powered by NICT】

Structural, electronic, optical and thermoelectric properties of Mg₃X₂ (X=N, P, As, Sb, Bi) compounds

著者 (4件)： Ullah Mazhar (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College Peshawar, Pakistan) ,  Murtaza G. (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College Peshawar, Pakistan) ,  Ramay Shahid M. (Physics and Astronomy Department, College of Science, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh 11451, Saudi Arabia) ,  Mahmood Asif (Department of Engineering, College of Engineering, King Saud University, P.O. Box 2455, Riyadh 11451, Saudi Arabia)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 91  ページ： 22-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネシウムニクタイドMg_3X_2(X=N, P, As, Sb, Bi)は,その魅力的な物理的性質のために重要性を増している。これらの化合物は主に構造と電子バンド構造の観点から研究した。本研究では,Mg_3X_2(X=N, P, As, Sb, Bi)化合物の構造,電子,光学および熱電特性を密度汎関数理論を用いて調べた。化合物の結晶構造は,Wu-Cohen一般化勾配近似(WC GGA)を通して最適化した。修正Becke-Johnson交換ポテンシャルはWC GGAとEnglo Vosko GGAより大きいバンドギャップを予測した。全ての化合物は直接バンドギャップであることを予測した。化合物のバンドギャップはカチオンを変えることNからBiへの減少した。化合物の光学的性質を詳細に記述した。化合物の熱電特性を特性化した。適切な直接バンドギャップ性質と良好な熱電係数に基づいてこれらの材料はオプトエレクトロニクスや熱電応用のための有望な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  結晶構造 ,  キャラクタリゼーション ,  カチオン ,  オプトエレクトロニクス ,  最適化 ,  *ビスマス ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  一般化勾配近似 ,  電子バンド構造 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A光学材料 ,  D.電子構造 ,  D.光学的性質

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Sb ,  Bi ,  電子 ,  光学 ,  熱電特性