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J-GLOBAL ID:201702291497072154   整理番号:17A1224406

Real Frequency Techniqueを利用した実用的なmixed lumped方式による超広帯域GaN HEMTパワーアンプ

Ultra-wideband GaN HEMT power amplifier with practical mixed lumped approach employing real-frequency technique
著者 (4件):
資料名:
巻: 14  号: 13  ページ: 20170455(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0039A  ISSN: 1349-2543  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)技術による超広帯域電力増幅器(PA)の,Real Frequency Technique(RFT)を用いた設計について報告した。フォームファクタが小さくコストが低いという工業的要件のために,分布定数回路と集中定数回路の組み合わせ(mixed lumped elements combination)によって実用的な設計を行った。これは,80~2200MHzの広い帯域幅に対応するソフトウェア定義無線(SDR)製品にとって魅力的な方式である。測定の結果,プロトタイプは,所定の帯域幅で良好な性能(すなわち,34d~43dBmの電力,約39~69%の効率,そして11~18dBの範囲の利得)を示し,シミュレーション結果ともほどよく一致した。著者らの知るところによれば,これらの結果は,80MHzの低周波数から2200MHzまでの広帯域動作用のシングルエンドGaN HEMTデバイスにとって,意味のあるものである。(翻訳著者抄録)
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著者キーワード (4件):
分類 (2件):
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増幅回路  ,  移動通信 
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