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J-GLOBAL ID：201702291504156843   整理番号：17A0026406

重イオン弾性散乱に起因するDICE SRAM SEUの定量的分析

A Quantitative Analysis of DICE SRAM SEU Caused by Heavy Ion Elastic Scattering

著者 (5件)： Zhu Ming (China Academy of Space Technology, Beijing, China) ,  Zhu Hengjing (China Academy of Space Technology, Beijing, China) ,  Zhang Wei (China Academy of Space Technology, Beijing, China) ,  Yu Qingkui (China Academy of Space Technology, Beijing, China) ,  Tang Min (China Academy of Space Technology, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 63  号： 4  ページ： 2363-2371  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4MビットDICEラッチSRAMは垂直入射重イオンビーム試験において,10¹⁴~10¹²cm²/ビットのシングルイベントアップセット(SEU)断面を示した。TCADシミュレーションはDICEラッチが機能し,SEUが電荷共有によって引起されないことを示した。粒子弾性散乱に関する数値シミュレーションはそれが入射イオンと標的核の間の弾性散乱によって引起こされるという定量的証拠を示した。より深い洞察を得るために,弾性散乱SEUの三種類の筋書きを個別に計算した。イオンエネルギー,入射角及びDICEノード間の距離に関するアップセット断面積を分析した。DICEラッチの対ノードを少なくとも6μm離す設計を提唱した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 弾性散乱 ,  *SRAM ,  *重イオン照射 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  ソフトエラー ,  断面積 ,  シミュレーション ,  CAD【計算機】 ,  モンテカルロ法 ,  エネルギー移動 ,  定量的分析 ,  ラッチ回路
準シソーラス用語： TCAD ,  重イオン散乱 ,  数値シミュレーション ,  DICEラッチ

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 重イオン ,  弾性散乱 ,  起因 ,  SRAM ,  SEU ,  定量的分析