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J-GLOBAL ID：201702291515034052   整理番号：17A1835741

分子ビームエピタクシーII型赤外超格子成長のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of molecular beam epitaxy type II infrared superlattice growth

著者 (1件)： Grein Christoph (University of Illinois)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPC  ページ： 417  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタキシャル(MBE)成長のモデリングは,最適成長条件を同定し,実際の成長中に形成されることを原子スケール欠陥を予測する潜在的な利点を持っている。はタイプII赤外超格子の現実的な原子スケールMBE成長シミュレーションを行うためにシミュレーションソフトウェアの使用を記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超格子 ,  *分子ビーム ,  *エピタクシー ,  モデリング ,  *MBE成長 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： シミュレーションソフトウェア ,  原子スケール ,  成長条件 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  赤外 ,  超格子 ,  成長 ,  シミュレーション