文献
J-GLOBAL ID:201702291515792279   整理番号:17A1243993

高開回路電圧全高分子太陽電池のためのチエノ[3,4-c]ピロール-4,6-ジオンベース高分子受容体【Powered by NICT】

Thieno[3,4-c]Pyrrole-4,6-Dione-Based Polymer Acceptors for High Open-Circuit Voltage All-Polymer Solar Cells
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 15  ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2778A  ISSN: 1614-6832  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高分子受容体は効率的なバルクヘテロ接合(BHJ)太陽電池の製作における有望なフラーレン代替物であるが,「全」BHJ概念に関連した効率的な材料システムの範囲は狭いままに留まり,現在全高分子太陽電池における10%効率しきい値を満たして展望制限する。チエノ[3,4-c]ピロール-4,6-ジオン(TPD)と3,4 ジフルオロチオフェン([2F]T)モチーフから成る二高分子受容体類似体とフラーレン(PBDT TS1;モデル系として)で一般に用いられる低バンドギャップ高分子ドナーとのBHJ太陽電池性能パターンを検討した。この材料セットで,すなわち2,1,3 ベンゾチアジアゾール(BT),三電子不足モチーフの導入は,(i)対応する重合体(by ≒0.2 eV)の光学ギャップ(E_opt)は有意に狭く,(ii)BHJ太陽電池の大きさの二桁以上による高分子の電子移動度を改善することを示した。同様に,フラーレン代替として使用ナローギャップP2TPDBT[2F]T類似体(E_opt=1.7eV)は約1.0Vの高い開回路電圧(V_OC),≒11.0mA cm~ 2の顕著な短絡電流値(J_SC),及び電力変換効率(PCE)全高分子BHJ太陽電池における5%に近づくが得られた。P2TPDBT[2F]Tは高分子受容体候補の新しい有望なクラスへの道を開くものである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る