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J-GLOBAL ID：201702291534043613   整理番号：17A1708358

新しいGaN系ナノ複合材料:引張歪または外部場による有効バンド構造と光学的性質の調整【Powered by NICT】

Novel GaN-based nanocomposites: Effective band structure and optical property tuning by tensile strain or external field

著者 (7件)： Meng Ruishen (School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Sun Xiang (School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Jiang Junke (School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Liang Qiuhua (School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Yang Qun (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, and College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China) ,  Chen Xianping (School of Mechanical and Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China) ,  Chen Xianping (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, and College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University, 400044 Chongqing, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 427  号： PA  ページ： 554-562  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO,MoS_2とMoSe_2を持つGaN単分子層ハイブリッドの電子的および光学的性質を密度汎関数理論によって研究した。これら三ヘテロ二重層の格子不整合は2.5%以下であった,それらは二層グラフェンのものよりも大きな結合エネルギーを持つ安定であった。GaN単分子層の間接バンドギャップにもかかわらず,三ヘテロ構造は直接バンドギャップ特性を示し,それらの光学スペクトルは層間結合のために分離した構成層のそれよりも広かった。に加えて,二軸引張歪と外部電場(E場)の両方がこれらのヘテロ構造のバンドギャップを調整できる。バンドギャップは引張歪または正の電場強度の増加とともに減少するが,は負の電場強度の増加とともに増加した。一方,誘電関数の虚数部の吸着端は対応する赤方偏移または青方偏移特性を示し,バンドギャップは臨界歪または電場強度を超えた間接遷移への直接受ける可能性がある。結果は,これらのGaNヘテロ構造は,発光ダイオード(LED),光検出または太陽エネルギー変換などの光関連応用に関する更なる研究のための良好な候補材料であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノ複合材料 ,  誘電関数 ,  *光学的性質 ,  酸化亜鉛 ,  電界強度 ,  発光ダイオード ,  バンドギャップ ,  結合エネルギー ,  密度汎関数法 ,  青方偏移 ,  赤方偏移 ,  単分子層
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  ヘテロ二重層 ,  第一原理計算 ,  バンド構造 ,  光学的性質 ,  Tunability

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ナノ複合材料 ,  引張歪 ,  外部場 ,  バンド構造 ,  光学的性質