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J-GLOBAL ID：201702291545311615   整理番号：17A1058017

太陽電池応用のための単相βIn_2S_3バッファ層の低温パルス直流マグネトロンスパッタリング技術【Powered by NICT】

Low temperature pulsed direct current magnetron sputtering technique for single phase β-In₂S₃ buffer layers for solar cell applications

著者 (4件)： Karthikeyan Sreejith (Materials & Physics Research Centre, University of Salford, The Crescent, Salford M5 4WT, UK) ,  Karthikeyan Sreejith (Department of Physics and Nanotechnology, SRM University, Kattankulathur, India) ,  Hill Arthur E. (Materials & Physics Research Centre, University of Salford, The Crescent, Salford M5 4WT, UK) ,  Pilkington Richard D. (Materials & Physics Research Centre, University of Salford, The Crescent, Salford M5 4WT, UK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PA  ページ： 199-206  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅インジウムガリウムジセレニドベース太陽電池の硫化カドミウムバッファ層の代替を堆積させるためにパルス直流(dc)マグネトロンスパッタリング(PDCMS)プロセスを使用することの可能性を調べた。CdS層を持つ主要な問題は,その毒性と化学浴法を用いて堆積した。これらの因子は,インライン生産に組み込むことを困難にしているとインライン製造能力を持つ適切な代替バッファ層を見出すために払われた大きな努力。この目的に向けて,粉末ターゲットからスパッタされた,In_2S_3膜の材料特性を調べた。膜は「追加の基板加熱」の範囲の異なる基板温度で堆積した250°Cであった。基板加熱/アニーリングなしで単相βIn_2S_3の堆積はこれまで報告されていない。追加加熱なしにイオン増強PdcMS技術により堆積した膜は単相であることが分かった。粒径基板温度の増加と共に増加した。しかし,これは硫黄含有量の減少をもたらした;結果としてバンドギャップは減少した。太陽電池応用のために,CdSバッファ層(光学バンドギャップ~2.4eV)は青色波長領域での吸収損失の改善された性能と削減のための2.4eVより大きいバンドギャップを持つ材料で置換する必要がある。理想的バンドギャップは2.6と3.0eVの間であるべきである。PdcMS室温堆積したIn_2S_3は2.77eVのバンドギャップを有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基板温度 ,  硫化カドミウム ,  バンドギャップ ,  *低温 ,  焼なまし ,  *直流 ,  *太陽電池 ,  光学ギャップ ,  粉体 ,  *パルス ,  粒径 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *単相 ,  硫黄 ,  *バッファ層

著者キーワード (6件)： パルス直流マグネトロンスパッタリング ,  硫化インジウムバッファ層 ,  低温スパッタリング ,  光学的性質 ,  スパッタリング ,  代替バッファ層

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  応用 ,  単相 ,  バッファ層 ,  低温 ,  パルス ,  直流マグネトロンスパッタリング