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J-GLOBAL ID：201702291582873636   整理番号：17A1279089

MoS₂とMoSe₂に埋め込まれた遷移金属二カルコゲン化物のナノドット:第一原理計算【Powered by NICT】

Nanodots of transition metal dichalcogenides embedded in MoS₂ and MoSe₂: first-principles calculations

著者 (5件)： Miwa Roberto Hiroki (Instituto de Fisica, Universidade Federal de Uberlandia, 38400-902, Uberlandia, MG, Brazil. [e-mail]) ,  Scopel Wanderla L. ,  Souza Everson S. ,  Padilha Jose Eduardo ,  Fazzio Adalberto
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 38  ページ： 26240-26247  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS₂とMoSe₂ホスト中に埋め込まれたXS₂とXSe₂(X=Mo,W,Nb),エネルギー安定性と遷移金属二カルコゲン化物から成るナノドット(ND)の電子特性を,第一原理計算に基づいて調べた。NDとホスト材料の適切な組合せを用いると,電子-正孔局在化を制御することが可能であることを見出した。例えば,MoS₂宿主におけるWS₂のND,ND領域に局在する最高被占(正孔)状態を見出したが,最低非占有(電子)状態はMoS₂ホスト中の広がった。一方,NDとホスト材料を変えることにより,電子状態はWS₂宿主におけるMoS₂NDに局在になる。更なる電子構造計算はNbS₂とNbSe₂のNDはMoS₂とMoSe₂ホストのエネルギーギャップ内のスピン縮退空状態の集合を生じることを示した。スピン縮退はNDシステムを負に帯電させることにより除去できた。このようなn型ドーピングをNbS₂とNbSe₂ND上にあるグラフェン層から成るvan der Waals(vdW)ヘテロ構造を考慮して検討した。はND領域に局在する正味の磁気モーメントを見出した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 硫化モリブデン ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  *ナノ構造 ,  計算 ,  *ab initio法 ,  タングステン化合物 ,  硫化物 ,  ニオブ化合物 ,  セレン化ニオブ ,  電子構造 ,  ドーピング ,  N型半導体 ,  磁気モーメント ,  グラフェン
準シソーラス用語： n型ドーピング ,  セレン化タングステン ,  セレン化モリブデン ,  ナノドット ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  第一原理計算 ,  硫化タングステン ,  硫化ニオブ

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： MoS2 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  ナノドット ,  第一原理計算