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J-GLOBAL ID:201702291631958102   整理番号:17A0763803

エンドオン型アジド架橋CuII-LnIII錯体のファミリーの合成,構造および磁気特性

Syntheses, structures, and magnetic properties of a family of end-on azido-bridged CuII-LnIII complexes
著者 (4件):
資料名:
巻: 46  号: 22  ページ: 7232-7241  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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メタノール中のCu(valdmpn)(H2valdmpn=N,N′-ビス-(3-メトキシサリチリデン)-1,3-ジアミノ-2,2-ジメチルプロパン),LnCl3・nH2O(Ln=La(1),Ce(2),Pr(3),Nd(4),Sm(5),Eu(6),Gd(7),Tb(8),Dy(9),Ho(10),Er(11),Tm(12),Yb(13),Lu(14))とNaN3の反応は,一連のヘテロ金属CuII-LnIII錯体をもたらした。これらの錯体の基本的な構造成分は,コンパートメントSchiff塩基配位子を有する[CuII(valdmpn)LnIII]単位である。次に,Ln3+中心の間のエンドオン(EO)アジドにより,これらの[CuIILnIII]単位をさらに連結し,四核の{[CuLn](μ-N3)n[LnCu]モチーフを形成した(nはより大きな半径のランタニド(1CuLaから5CuSmまで)の錯体に関しては3,そしてより小さな半径のランタニド(6CuEuから14CuLu)錯体に関しては2である)。6CuEuから14CuLuまでの化合物は分離した四核クラスタのままであるが,1CuLaから5CuSmまでの化合物は,CuIIとLnIII中心の間のエンドツーエンド(EE)アジドにより,四核モチーフがさらに連結される一次元鎖である。すべての錯体に関して1.8~300Kの範囲で直流(dc)磁化率を測定し,スピン中心間の磁気相互作用の異なる性質を明らかにした。その中で,化合物7CuGd,8CuTbと9CuDyにおいて,優勢な強磁性相互作用が確認された。8CuTb,9CuDyと10CuHoについて行った交流(ac)磁気測定は,ゼロ印加dc場下での遅い磁気緩和の存在を実証した。スピン緩和障壁Ueffは,化合物8CuTbと9CuDyに関して,19.54/cm(28.12K)と10.34/cm(14.87K)と測定した。磁気ヒステリシスループの存在により,8CuTbのSMM挙動をさらに確認した。一方,9CuDyと10CuHoに関してはヒステリシスループは観察されなかった。これらの結果は,一般的に弱いアジド-ランタニド相互作用にもかかわらず,アジド架橋銅(II)-ランタニド(III)錯体をうまく合成できることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (2件):
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第11族,第12族元素の錯体  ,  第3族元素の錯体 
タイトルに関連する用語 (5件):
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