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J-GLOBAL ID：201702291654545201   整理番号：17A0884250

高性能自己出力型広帯域γIn_2Se_3/Siヘテロ接合フォトダイオードへのγIn_2Se_3ナノフラワーの容易な合成【Powered by NICT】

Facile Synthesis of γ-In₂Se₃ Nanoflowers toward High Performance Self-Powered Broadband γ-In₂Se₃/Si Heterojunction Photodiode

著者 (12件)： Chen Shuo (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Chen Shuo (State Key Laboratory of Silicon Materials, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Liu Xuemei (School of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Qiao Xvsheng (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Qiao Xvsheng (State Key Laboratory of Silicon Materials, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Wan Xia (School of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Shehzad Khurram (School of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Zhang Xianghua (Laboratory of Glasses and Ceramics, Institute of Chemistry, CNRS-Universite de Rennes I, Campus de Beaulieu, 35042, Rennes Cedex, France) ,  Xu Yang (State Key Laboratory of Silicon Materials, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Xu Yang (School of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Fan Xianping (School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, 310027, P. R. China) ,  Fan Xianping (State Key Laboratory of Silicon Materials, Hangzhou, 310027, P. R. China)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 18  ページ： ROMBUNNO.201604033  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホット注入法を含む効果的なコロイドプロセスは,2DγIn_2Se_3ナノシートの均一なナノフラワーを合成するために開発した。In_2Se_3の可視光範囲の狭い直接バンドギャップと高い吸収係数を利用することにより,高品質のγIn_2Se_3/Siヘテロ接合フォトダイオードを作製した。フォトダイオードは光照射,短い応答/回復時間,および長期耐久性で高い光応答を示した。さらに,γIn_2Se_3/Siヘテロ接合フォトダイオードは自己出力型であり,高い応答性と検出感度をもつUVからIRまでの範囲の広帯域スペクトル応答を示した。これらの優れた性能は,非常に効率的な光検出器としてのγIn_2Se_3/Siヘテロ接合は非常に興味深いものにする。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  *広帯域 ,  ナノシート ,  光検出器 ,  *ヘテロ接合 ,  応答特性 ,  可視光 ,  光照射 ,  *フォトダイオード
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  検出能 ,  回復時間 ,  高品質 ,  直接バンドギャップ ,  *ナノフラワー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： γ-In2Se3/Siヘテロ接合 ,  高検出感度 ,  nanoflowers ,  光検出器

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  自己 ,  広帯域 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  ナノフラワー