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J-GLOBAL ID：201702291969894373   整理番号：17A0697162

SiとGe結晶における置換型及び格子間型CとSn原子の安定な配置の密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

Density functional theory study of stable configurations of substitutional and interstitial C and Sn atoms in Si and Ge crystals

著者 (2件)： Koyama Hiroki (Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan) ,  Sueoka Koji (Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 110-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境に良いとSi材料との親和性を持っているので,IV族半導体化合物,例えば,置換型C(C_s)および/またはSn(Sn_s)原子(モノドーピングと共ドーピング)を含むSiとGe数%の含有量は,太陽電池への応用のため注目を集めている。本研究では,密度汎関数理論計算によって格子間C(C_i)原子の生成に焦点を当てたSi(Ge)結晶中のCおよび/またはSn原子の安定な配置を評価した。神山ら(2016)によって提案されたHakoniwa法は全C原子にC_iの熱平衡比を得るために64原子スーパーセルに適用した。解析の結果は4倍。最初に,単離したC_s原子はSi及びGe結晶における単離したC_i原子よりも安定であり,GeよりSi中の安定であった。単離Sn_s原子はSn_iもより安定であるが,SiよりもGeにおける安定であった。第二に,均一に分布したC原子の濃度は約3%であるときC_i原子は450°Cでの全C原子に7.7%の比率でGe結晶中の[001]配向C_i C_s対で形成された。第三に,SiにおけるC_iとC_sの形成エネルギーの差は,一様に分布したC原子の濃度の増加で約0.3eVに減少し6%に達した。第四,C及びSnの共ドーピングはSiとGe結晶におけるC_i原子の形成を抑制する。ここで得られた結果は,太陽電池応用のためのSiおよびGeにおけるCおよび/またはSnの可能な原子配置の予測に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱平衡 ,  *スズ ,  *ケイ素 ,  *密度汎関数法 ,  太陽電池 ,  *ゲルマニウム ,  単離 ,  親和性 ,  *結晶 ,  半導体
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  原子配置 ,  形成エネルギー ,  密度汎関数計算 ,  共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半導体材料 ,  太陽電池 ,  密度汎関数理論 ,  形成エネルギー ,  原子配置

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  Ge ,  結晶 ,  置換 ,  格子 ,  Sn ,  原子 ,  密度汎関数理論 ,  研究