Hong Seunghwan について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Kim Shinwoong について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Choi Seungnam について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Cho Hwasuk について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Hong Jaehyeong について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Seo Young-Hun について
DRAM Design Team, Memory Division, Samsung Electronics Company, Hwasung, South Korea について
Kim Byungsub について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Park Hong-June について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
Sim Jae-Yoon について
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea について
IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs について
電力消費 について
LF【周波数】 について
CMOS について
位相同期ループ について
高速度 について
電力効率 について
発振器 について
周波数 について
誤差補償 について
注入同期発振器 について
フラクショナルN について
超低消費電力 について
集積回路一般 について
増幅回路 について
低電力 について
応用 について
フラクショナルN について