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J-GLOBAL ID：201702292067524899   整理番号：17A0776297

吸引プラズマエッチング法を用いたSiO₂ダイアフラム構造作製技術の開発

著者 (9件)： 狩野諒 (千葉工業大学工学部機械電子創成工学科) ,  狩野諒 (産業技術総合研究所) ,  菅洋志 (千葉工業大学工学部機械電子創成工学科) ,  新堀俊一郎 ((株)三友製作所テクノセンタ) ,  高橋賢 ((株)三友製作所テクノセンタ) ,  久保利隆 (産業技術総合研究所) ,  安藤淳 (産業技術総合研究所) ,  清水哲夫 (産業技術総合研究所) ,  宮脇淳 (産業技術総合研究所)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 4  ページ： 148-152(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *二酸化ケイ素 ,  *ダイヤフラム ,  *生産技術 ,  半導体薄膜 ,  熱酸化 ,  圧力センサ ,  音波センサ ,  MEMS ,  加工速度 ,  光 ,  監視 ,  精密加工 ,  *吸込
準シソーラス用語： *作製技術 ,  シリコン薄膜 ,  超音波センサ ,  MEMSデバイス ,  エッチング速度 ,  透過光 ,  モニタリング ,  *吸引

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• 1) S. Shimbori, Y. Shirayama, T. Kawakami, S. Yokosuka, K. Kashimura, T. Wataya, T. Shimizu, Y. Naitoh and H. Tokumoto: J. Vac. Soc. Jpn., 53 (2010) 234.
• 2) C. Iwase, Y. Shirayama, S. Yokosuka, K. Kashimura, A. Hayashi, S. Shimbori, T. Horie, H. Tokumoto, Y. Naitoh and T. Shimizu: J. Vac. Soc. Jpn., 55 (2012) 176.
• 3) S. Takahashi, T. Horie, Y. Shirayama, S. Yokosuka, K. Kashimura, A. Hayashi, C. Iwase, S. Shimbori, H. Tokumoto, Y. Naitoh and T. Shimizu: J. Vac. Soc. Jpn., 55 (2012) 171.
• 4) J. Miyawaki, T. Kubo, A. Ando, S. Takahashi, S. Shimbori, H. Tokumoto and T. Shimizu: Vacuum, 121 (2015) 300.
• 5) J. Miyawaki et al., in preparation.

タイトルに関連する用語 (6件)： 吸引 ,  プラズマエッチング ,  SiO2 ,  ダイアフラム構造 ,  作製 ,  開発