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J-GLOBAL ID：201702292137324874   整理番号：17A0955317

ゲートスイッチング動作で誘起されるSiC-MOSFETの正バイアス温度不安定

Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation

著者 (4件)： MURAKAMI Eiichi (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  FURUICHI Takahiro (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  TAKESHITA Tatsuya (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN) ,  ODA Kazuhiro (Kyushu Sangyo Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CR11.1-04CR11.6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年のSiC-MOSFET技術の進展にもかかわらず,高温安定性は重要問題として残されている。本研究では,SiC-MOSFETに関連して,ゲートスイッチング動作(AC-PBTI)で誘起される正バイアス温度不安定を検討する。ゲートパルス(1kH)デューティーサイクルに対する閾電圧シフト(ΔV_th)の依存性を測定した結果,ゲートオフ電圧V_gs(OFF)に対する強い依存性を示した。V_gs(OFF)=-5Vの場合,デューティーサイクル90%のときでもΔV_thは無視できる程度である。このことは,パワー回路応用にとって意味がある。この目立った挙動を説明するために,Siに対する捕捉-解放モデルを使用した。最後に,V_gs(OFF)におけるバンドベンディングを考察することで,この挙動に対する可能性のある説明の一つとして,界面状態アシスト解放機構を提案する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  *熱安定性 ,  不安定性 ,  電圧
準シソーラス用語： 炭化ケイ素素子 ,  熱不安定性 ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (30件)：

• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology (Wiley, Singapore, 2014).
• R. Green, A. Lelis, and D. Habersat, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EA03 (2016).
• M. Sometani, D. Okamoto, S. Harada, H. Ishimori, S. Takasu, T. Hatakeyama, M. Takei, Y. Yonezawa, K. Fukuda, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04ER11 (2016).
• M. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, Y. Yano, and H. Okumura, Ext. Abstr. 63rd Spring Meet. Japan Society of Applied Physics, 2016, 20p-H101-20 [in Japanese].
• T. Grasser, Bias Temperature Instability for Devices and Circuits (Springer, New York, 2014).

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  スイッチング ,  誘起 ,  SiC ,  MOSFET ,  バイアス ,  不安定