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J-GLOBAL ID:201702292145196382   整理番号:17A0969551

熱拡散Cu_2SとSb_2S_3層により成長させたCu_3SbS_3薄膜の特性評価【Powered by NICT】

Characterization of Cu3SbS3 thin films grown by thermally diffusing Cu2S and Sb2S3 layers
著者 (8件):
資料名:
巻: 319  ページ: 294-300  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0205C  ISSN: 0257-8972  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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1.38~1.84eVの範囲でp型伝導率と光バンドギャップを持つ銅硫化アンチモン(Cu_3SbS_3)は非毒性および経済的要素を持つ有望な太陽光捕集材料であると考えられる。本研究では,著者らはCu_2SとSb_2S_3層とそれに続く300 375°Cの温度範囲でアルゴン雰囲気中でのアニーリングによりの逐次熱蒸着を用いてCu_3SbS_3薄膜の作製を報告した。デポジット後とアニールした膜の構造と光学的性質を調べた。アニールした膜は特にCu_3SbS_3の結晶相,X線回折分析から同定されたを示し,Raman分析によっても支持され,構成元素の化学状態をX線光電子分光法を用いて特性化した。アニールした膜の測定された最高の抵抗率は約0.2Ωcmであることが分かった。,作製したCu_3SbS_3薄膜に対して得られた結果は,これらの膜は,吸収体層の低い抵抗率のために太陽電池の,より高い光吸収係数(10~5 cm~ 1),低透過率(<5%)と太陽スペクトルの可視範囲で1.6eVの光学直接バンドギャップとして良好であることを明らかにする。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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