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J-GLOBAL ID：201702292771451376   整理番号：17A0417537

抗改ざん検出方式を用いた11.3A10nmの32kb低電圧論理互換性のあるアンチヒューズワンタイムプログラマブルメモリ【Powered by NICT】

11.3 A 10nm 32Kb low-voltage logic-compatible anti-fuse one-time-programmable memory with anti-tampering sensing scheme

著者 (5件)： Chou Shau-Yu (TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Yu-Shiang (TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Jun-Hao (TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan) ,  Chih Yu-Der (TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Tsung-Yung Jonathan (TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 200-201  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プログラミング方式として永久MOSゲート酸化膜絶縁破壊を用いた二トランジスタアンチヒューズOTPメモリマクロを作製し,特性化した。アンチヒューズOTPビットセルはアンチヒューズ素子として,選択トランジスタとしてNMOSで構成されている。キャラクタリゼーションは,この解は,現代のOTPと電気ヒューズ応用のための実行可能な技術選択肢であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒューズ ,  計算機プログラミング ,  絶縁破壊 ,  トランジスタ ,  *互換性 ,  NMOS構造 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *アンチヒューズ ,  ゲート酸化膜 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 改ざん検出 ,  低電圧 ,  論理 ,  互換性