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J-GLOBAL ID：201702293115702479   整理番号：17A1906971

GaN/サファイアテンプレート上に成長させたGaN/AlN超格子における歪みの緩和に及ぼす井戸/障壁厚さ比の影響

Effect of well/barrier thickness ratio on strain relaxation in GaN/AlN superlattices grown on GaN/sapphire template

著者 (10件)： Kryvyi Serhii B. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03028 Kiev, Ukraine) ,  Lytvyn Petro M. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03028 Kiev, Ukraine) ,  Kladko Vasyl P. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03028 Kiev, Ukraine) ,  Stanchu Hryhorii V. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03028 Kiev, Ukraine) ,  Kuchuk Andrian V. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701) ,  Mazur Yuriy. I. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701) ,  Salamo Gregory J. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, West Dickson 731, Fayetteville, Arkansas 72701) ,  Li Shibin (State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, 610054 Chengdu, China) ,  Kogutyuk Pavlo P. (Taras Shevchenko National University of Kyiv, Volodymyrska street 64/13, 01601 Kyiv, Ukraine) ,  Belyaev Alexander E. (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Pr. Nauky 41, 03680 Kiev, Ukraine)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 6  ページ： 062902-062902-6  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN(0001)/サファイアテンプレート上の20周期GaN/AlN超格子(SL)の,成長機構と歪みの緩和に及ぼす井戸対障壁の厚さ比(1~10倍)の増加の影響を調べた。高分解能X線回折を行い,SLの歪み状態と構造パラメータを決定した。さらにSLの全厚さと,量子井戸層と障壁層との個々の厚さは歪みに鈍感なX線反射率測定により決定した。量子井戸層と障壁層とについて,測定と設計された厚さとの間のわずかな違いが観察された。試料表面の変性を原子間力顕微鏡で調べた。GaN/AlN超格子の成長機構は,井戸と障壁との厚さ比の増加と共に,柱状成長から平面的二次元の層毎の成長へと変化した。高密度な亀裂および/または貫通転位はすべての試料の表面で観測され,SL層の厚さとSLにおける残留歪みとの相関を解析した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *基板 ,  *窒化アルミニウム ,  *超格子 ,  *緩和現象 ,  X線回折 ,  計測 ,  原子間力顕微鏡 ,  貫通転位 ,  残留歪
準シソーラス用語： X線反射率測定 ,  *サファイア基板 ,  *歪緩和

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (11件)： GaN ,  サファイア ,  テンプレート ,  成長 ,  AlN ,  超格子 ,  歪み ,  緩和 ,  井戸 ,  障壁 ,  厚さ比