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J-GLOBAL ID：201702293122435101   整理番号：17A1389404

Al_2O_3/HfO_2/SiO_2スタックのHfO_2と電荷トラップ特性の結晶相に及ぼす熱アニーリング配列の影響【Powered by NICT】

Effect of thermal annealing sequence on the crystal phase of HfO₂ and charge trap property of Al₂O₃/HfO₂/SiO₂ stacks

著者 (6件)： Na Heedo (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Jeong Juyoung (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Lee Jimin (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Shin Hyunsu (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea) ,  Lee Sunghoon (Research & Development Division, SK Hynix Inc., 2091 Gyeongchung-daero, Ami-ri, Icheon-si, Gyeonggi-do, 17336, Republic of Korea) ,  Sohn Hyunchul (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, Republic of Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 10  ページ： 1361-1366  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,著者らはHfO_2結晶相に及ぼすポストアニーリング配列とTiN Al_2O_3HfO_2~-SiO_2~-Siスタックを用いた電荷トラップ素子のメモリ窓の影響を調べた。HfO_2の電荷捕獲誘電体を原子層堆積により堆積したおよびAl_2O_3ブロッキング酸化物なしで酸素環境中でアニールした。X線回折解析は,熱アニーリング後,HfO_2の支配的な結晶相はAl_2O_3ブロッキング酸化物の有無に依存して正方晶と単斜晶相に分けられることを示した。さらに,X線回折スペクトルのデコンボリューションは,アニーリング温度の上昇とともに,HfO_2膜中の正方晶相の分率はAl_2O_3ブロッキング酸化物によって強化されたことを示したが,Al_2O_3ブロッキング酸化物もなく低減された。最後に,プログラム/消去と増加ステップパルスプログラミングの測定から,電荷トラップ効率と電荷トラップ素子のメモリ窓は正方晶HfO_2の分率の減少と共に増加することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スペクトル ,  アルミニウム ,  X線回折 ,  デコンボリューション ,  *ブロッキング ,  正方晶系 ,  酸化物 ,  単斜晶系 ,  誘電体 ,  酸素
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  窒化チタン ,  ポストアニーリング ,  *熱アニーリング ,  *結晶相 ,  *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A LD HfO_2 ,  電荷捕獲 ,  NANDフラッシュメモリ ,  HfO_2結晶相 ,  メモリ窓

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： スタック ,  電荷トラップ ,  結晶相 ,  熱アニーリング