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J-GLOBAL ID：201702294069427373   整理番号：17A1644024

高抵抗シリコン基板上のグラフェンの電気的に調整可能な挙動【Powered by NICT】

Electrically tunable behavior of graphene on high-resistivity silicon substrate

著者 (2件)： Wang Rong (Department of Electrical and Electronic Engineering The University of Hong Kong Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Jiang Li Jun (Department of Electrical and Electronic Engineering The University of Hong Kong Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： APUSNCURSINRSM  ページ： 1031-1032  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの静電可同調性はマイクロ波応用のための興味ある可能性を有する。500μm厚高比抵抗Si(HRS)上の単層CVD成長させたグラフェンの電気同調応答を系統的に調べた。48×48μm~2グラフェンフレークを埋め込んだコプレーナ伝送線路を標準的な微細加工プロセスにより作製し,外部バイアス電圧下でのグラフェンのシート抵抗変化を測定するために利用されている。同調挙動をKubo公式を用いてMaxwell方程式を厳密に解くことによって理論モデルとよく一致し,グラフェン組み込みスウイッチャブルデバイスの設計のための大きな助けである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロ波 ,  微細加工 ,  Maxwell方程式 ,  シート抵抗 ,  *グラフェン ,  電気抵抗率 ,  伝送線路 ,  同調 ,  単一層 ,  Kubo公式
準シソーラス用語： 理論モデル ,  バイアス電圧 ,  チューナビリティ ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 伝送回路理論  (NA02020X) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン基板 ,  グラフェン ,  挙動