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J-GLOBAL ID:201702295511237382   整理番号:17A0499553

光電子接合の水の酸化のための,電荷分離が向上したg-C3N4系II型およびZ-様式ヘテロ接合アノードの集合

Assembly of g-C3N4-based type II and Z-scheme heterojunction anodes with improved charge separation for photoelectrojunction water oxidation
著者 (11件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 4507-4515  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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黒鉛型窒化炭素(g-C3N4)は非金属光触媒として広範に研究され,幾つかの優れた結果が得られているが,光生成電荷キャリアの急速な再結合が実質的にその性能を制限している。本論文で,透明導電性基板上に,ロッド状およびナノ粒子WO3の各々と結合した,2種類のg-C3N4系ヘテロ接合(II型および無メディエータ支援Z様式)光アノードを作製した。これら複合材料中で,層間剥離g-C3N4の電気泳動堆積で成長したg-C3N4膜を,ホストあるいはゲスト材料として使用した。最適化したII型WO3/g-C3N4複合材料は,1.23V対RHEにおいて,純WO3ナノロッド(光電流0.22mA・cm-2および入射光-電流変換効率(IPCE)15%)と比較して,増大した光電流0.82mA・cm-2およびIPCE33%を示した。Z様式g-C3N4/WO3複合材料では,純g-C3N4膜(光電流は数マイクロアンペアおよびIPCEは2%)と比較して,大きく向上した光電流0.22mA・cm-2およびIPCE20%が得られた。この増大はヘテロ接合中の電荷分離の加速に起因し,これは光スペクトルおよび紫外光電子分光(UPS)分析で確認されたように,WO3とg-C3N4間の適切に配向したバンドギャップのためであった。本論文で,増大した光電気化学的性能の起源を説明可能な,g-C3N4系ヘテロ接合の光触媒過程および機構を提案した。本成果および本論文で得られた基本情報から,半導体性能を向上するためのヘテロ接合光アノードの合理的設計の重要性が示された。この点は,その光活性が高い再結合速度で強く制約される純g-C3N4およびWO3のような材料に特に重要であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  光化学反応  ,  塩  ,  触媒の調製 

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