文献
J-GLOBAL ID:201702296310715600   整理番号:17A1239921

Cu箔中の炭素溶解度対称性の破れによるCu表面上のBernal積層グラフェンの化学蒸着【Powered by NICT】

Chemical Vapor Deposition of Bernal-Stacked Graphene on a Cu Surface by Breaking the Carbon Solubility Symmetry in Cu Foils
著者 (6件):
資料名:
巻: 29  号: 32  ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
大面積のBernal積層多層グラフェンの合成は,この材料の調整可能な電子構造を与え,これは,広い範囲のオプトエレクトロニクス応用における使用に有望のものとすることを集中的に検討した。多層グラフェンは典型的には金属触媒上に化学蒸着により形成され,Ni,Cu-Ni合金,Cuポケットなど。これらの方法が,プロセスパラメータの洗練された制御,プロセスの再現性と信頼性を制限するが必要である。,正確な層制御による大面積のBernal積層多層グラフェンの容易な成長のための新しい合成法を提案した。Ni薄膜はCu箔の裏面上に堆積した前方から後方からのバルクCuによる炭素原子の制御された拡散を誘導することである。得られた多層グラフェンは97%均一性とドーピング後90%の透過率と50Ωsq~ 1のシート抵抗を示した。成長機構を解明し,一般化した運動論的モデルは,バルクCuまで拡散した炭素原子によるBernal積層多層グラフェンの成長を記述するために開発した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固-気界面一般  ,  無機化合物一般及び元素 

前のページに戻る