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J-GLOBAL ID:201702296478549019   整理番号:17A1548164

GeSi合金コア-シェルナノワイヤヘテロ構造からのRaman散乱に及ぼす組成の影響【Powered by NICT】

Influences of composition on Raman scattering from GeSi alloy core-shell nanowire heterostructures
著者 (6件):
資料名:
巻: 110  ページ: 82-89  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0600B  ISSN: 0749-6036  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,[011]および[111]結晶方向に沿って並んだGe/GeSiコア-シェルナノワイヤヘテロ構造からのRaman散乱に及ぼす組成の影響を数値的に調べた。GeSi合金シェルにおける一様,線形および自発的非線形組成プロフィル(CP)を考慮に入れた。均一CP症例では,コアとシェルが寄与するRamanスペクトルにおける明瞭な二重ピークを観測した。歪に誘起されたシフトは殻の厚さとGe濃度と非線形関係をもつ線形関係に従った。より大きな歪に誘起されたシフトは,[111]方向に沿ってナノワイヤが得られた。線形CP症例では,シェルが寄与するピークは,全スペクトルを区別することができず,プラトーが低周波数側に形成された。さらに,非線形CPはGeSiシェルの横方向エピタクシー中のヘテロ界面近傍の自然組成転移を説明した。急速Ge濃度遷移に起因して,Ramanスペクトルは均一なCP例とほぼ同一で示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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結晶中のフォノン・格子振動  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
タイトルに関連する用語 (5件):
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