文献
J-GLOBAL ID:201702296868546999   整理番号:17A1238032

nおよびp型ドープウルツ鉱型GaN及びAlGaNの錐体平面における転位芯のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulations of dislocation core in pyramidal plane of n- and p-doped wurtzite GaN and AlGaN
著者 (3件):
資料名:
巻: 254  号:ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ウルツ鉱型GaN及びAlGaNのピラミッド面における混合転位の二転位芯構造の古典的および量子原子論的シミュレーションの結果を示した。また,ピラミッド面の転位芯に比べてn (Si)およびp-(Mg)ドーパントの分布を研究した。百個の原子を含む二完全に周期的な系を生成し,緩和に使用されているTersoff型原子間ポテンシャルと,最終的な形態の一つである密度汎関数理論(DFT)を用いて緩和した。周期的境界条件を提供するためにn ドーパントSi原子の転位芯とDFTを用いたドーパントMg原子の周りの偏析と転位双極子を持つ1448個の原子を含むシミュレーションセルの傾向を研究した。おそらく,ドーパントの偏析は,転位コアに蓄積されたストレスを軽減する。Al原子の分布の熱力学的傾向を理解するために,転位芯近傍の27%AlのAlGaN中のAlの種々の分布をシミュレートした。著者らの計算はAlの原子は転位芯に識別可能な偏析を有するAlGaN中にランダムに分布しないことを示した。X線回折(XRD)スペクトルは,仮想回折法を用いたピラミッド面における転位に対してシミュレートした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 

前のページに戻る