イオン注入前の予熱酸素脱着によるゲルマニウム中の高度に活性化されたp~+拡散層形成のための新しいアプローチ【Powered by NICT】

Igo Tetsuya; Higuchi Takahiro; Nagayama Tsutomu; Kuroi Takashi; Hamamoto Nariaki; Tanimura Hideaki; Kawarazaki Hikaru; Aoyama Takayuki; Kato Shinichi; Kobayashi Ippei

文献

J-GLOBAL ID：201702297438970888 整理番号：17A1258256

イオン注入前の予熱酸素脱着によるゲルマニウム中の高度に活性化されたp~+拡散層形成のための新しいアプローチ【Powered by NICT】

A novel approach for highly activated p⁺ diffusion layer formation in germanium by pre-heating oxygen desorption before ion implantation

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資料名：
巻： 2017 号： IWJT ページ： 13-14 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコン半導体デバイスは著しく高k/金属ゲートや歪型シリコンなどいくつかのブースティング技術のプロセススケーリングと導入により改善した。しかしシリコン材料の移動度の観点からは極めて困難である。この問題を克服するために,SiGe,GeまたはIII-V族化合物半導体のようないくつかのより高いキャリア移動度材料の研究がなされてきた増加注目。これらの材料の中で,Geの高いキャリア移動度のために,低電力と高速動作[1]と高性能デバイスの候補の一つとして有望である。しかしいくつかの挑戦がまだGe MOSFETの製造のために残っている。接合形成のためには,ドナーイオンの異常に高い拡散係数のためにGe中の浅いN~+/P接合を形成することは困難である。一方,浅いP~+/N接合を形成する比較的容易であるが,高い活性化は困難である。これらの問題を解決するために,いくつかのプロセスがアルミニウムドーピング[2],III族金属ドーピング[3]とフラッシュランプアニーリング(FLA)の最適化[4]のような提案されている。本研究では,Ge基板の表面領域中に残存する酸素の影響に焦点を当てた。一般に,大量の固溶の酸素がGe基板に含まれている。Ge結晶内の酸素熱二重ドナー(TDD)[5]として作用することが知られている。TDDはGe中のアクセプタイオンの活性化を阻害し,Ge基板の表面領域に形成されたp~+拡散層のシート抵抗(Rs)の増加をもたらすであろう。活性化を改善するために,Ge基板は表面領域中の酸素濃度を制御するためにイオン注入前の真空槽の中で高温度で予熱した。Ge基板中の酸素原子はイオン注入の初期段階で外部拡散し容易にできる。さらに注入ほう素のTEDを避けるために,比較的低温で行った。本論文では,予熱プロセスを用いたGe基板へのBF_2注入の結果を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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