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J-GLOBAL ID：201702298228869680   整理番号：17A1287652

アルミナセラミック基板の無電解銅めっきプロセスの最適化【JST・京大機械翻訳】

Process Optimization of Electroless Copper Plating on Alumina Ceramics Substrate

著者 (6件)： Zheng Qiang (重慶科技学院 冶金与材料工程学院,重慶,401331) ,  Cai Wei (重慶科技学院 冶金与材料工程学院,重慶,401331) ,  Chen Fei (重慶鴻富誠電子新材料有限公司,重慶,402760) ,  Zhou Jie (重慶科技学院 冶金与材料工程学院,重慶,401331) ,  Lan Wei (重慶科技学院 冶金与材料工程学院,重慶,401331) ,  Fu Chunlin (重慶科技学院 冶金与材料工程学院,重慶,401331)
資料名： Biaomian Jishu  (Biaomian Jishu)
巻： 46  号： 4  ページ： 212-216  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2656A  ISSN： 1001-3660  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 目的:無電解銅メッキはアルミナセラミック基板の金属化の重要な手段であり、アルミナセラミック基板の無電解銅めっきプロセスをさらに最適化するため、化学銅めっき液の配合(特にめっき液中の銅イオンとホルムアルデヒド含有量)がアルミナセラミック被覆銅板の微細構造と導電性に与える影響を研究した。方法:酸化アルミニウムセラミック基板に対して前処理を行った後、化学銅めっき法を用いて、基板上に銅をめっきした。X線回折計と光学顕微鏡を用いて、アルミナ基板上の化学銅めっき層の相と形態に対して観察を行った。被覆厚さ測定器と四探針試験機を用いて,化学銅めっき層の膜厚と抵抗を測定した。結果:XRD結果により、異なるめっき浴から得られた化学銅めっき層はいずれも良好な結晶化程度を有し、めっき液中のホルムアルデヒドと銅含有量が低いめっき液は結晶粒のより細かい化学銅めっき層を作製できることが分かった。ホルムアルデヒドと銅イオンの含有量が高い場合、沈積速度が速すぎ、銅めっき層の均一性と緻密性が悪くなる。しかし,ホルムアルデヒドの含有量が高く,銅イオンの含有量が低い時に,堆積速度が適度になり,均一性と緻密性の良い銅めっき層が得られ,同時に,このコーティングは良好な導電性を示した。結論:表面活性化学銅めっきプロセスを採用し、めっき液中のホルムアルデヒド濃度が0.25mol/Lと硫酸銅濃度が1.2g/Lの時、高温処理を必要としない、即ち均一性と緻密性が良い銅めっき層が得られ、銅被覆板の使用要求を満たすことができる。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： セラミック被覆 ,  *銅めっき ,  堆積速度 ,  めっき液 ,  *アルミナ ,  *最適化 ,  微細構造 ,  メタライゼーション ,  膜厚 ,  *電解 ,  *銅 ,  X線回折 ,  光学顕微鏡 ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： 銅イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： electroless copper plating ,  alumina ,  ceramics substrate ,  deposition rate ,  microstructure ,  conductivity

分類 (3件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (6件)： アルミナ ,  セラミック基板 ,  電解 ,  銅めっき ,  プロセス ,  最適化